终极半导体材料——金刚石的研究综述
金刚石的优异物理化学性质使其广泛应用于许多领域。金刚石为间接带隙半导体材料,禁带宽度约为5.2eV,热导率高达 22W/(cm•K),室温电子和空穴迁移率高达 4500cm2/(V.s) 和 3380cm2/(V.s),远远高于第三代半导体材料 GaN 和 SiC,因此金刚石在高温工作的大功率的电力电子器件,高频大功率微波器件方面具有广泛的应用前景,另外由于金刚石具有很大的激子束缚能(80meV),使其在室温下可实现高强度的自由激子发射( 发光波长约为 235nm),在制备大功率深紫外发光二极管方面具有较大的潜力,其在极紫外深紫外和高能粒子探测器的研制中也发挥重要作用。尽管目前半导体金刚石材料的生长和器件研制还存在诸多困难,但可以预测半导体金刚石材料及器件的应用极有可能在不久的将来带来科学技术的重大变革。
2022-11-181593