金刚石膜是优良的绝缘材料，其电阻率可以达到1010Ω.cm以上，通过掺硼可以改变其电学性能，由绝缘体变为半导体或者导体，表现出了金属的电导率。掺硼金刚石膜具有良好的导电性能和半导体光电性能，可以沉积到电极基体，如石墨、硅片等表面上，得到的金刚石膜电极在物理化学生物等领域已显示出广阔的应用前景。

由于硼的原子半径很小，可替代或进入金刚石晶格，参与到CVD金刚石的生长过程，导致金刚石晶体颗粒的生长产生一定的变化，胡东平等通过实践制备不同掺硼浓度的CVD金刚石，观察其表面形貌，研究其浓度对形貌的影响。本文引用三种制备方法，供读者参考。

1. 热丝CVD法

掺硼源主要有三类，固体硼源如三氧化二硼，气体硼源如硼烷，以及液体硼源如硼酸三甲脂、硼酸三乙脂、硼酸三丙脂。可利用硼的气、固、液三种形态在金刚石生长的同时进行原位惨杂。采用三氧化二硼固体硼源，直接置于反应室内，进行固态原位掺杂。

将钼材加工出矩 形槽，面 积 为4mmx6mm，用于存放氧化硼固体粉末，如图1所示。利用金刚石沉积过程中 基体温度对氧化硼加温，使之变成气态并在热丝高温作用下分解，以原子态进入生长的金刚石膜中。由于在CVD生长过程中衬底温度基本上保持不变，矩形槽面固定，因此每个矩形槽对金刚石膜的掺硼浓度基本上保持不变，可采用增加或减少存放氧化硼的矩形槽数量改变金刚石膜的掺硼浓度。